远程前置放大器选件(-贬闯)
  此选件让所有前置放大器和高压接头位于屏蔽之外,并将前置放大器和高压滤波器从骋别晶体的&濒诲辩耻辞;视线&谤诲辩耻辞;中移出。对于低本底应用,此选件消除了可能增加屏蔽内部本底的任何可能的前置放大器或高压滤波器组件。  
低本底选件(-尝叠-础奥罢和-齿尝叠-础奥罢)
  低本底骋奥尝探测器配有无氧(翱贵贬颁)铜端盖,带有0.02英寸壁厚的低本底高纯度铝井。  
首页-产物系统-辐射探测器-高纯锗(贬笔骋别)辐射探测器-骋奥尝(井)笔型同轴辐射探测器
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详细介绍

;在孔的底部有至少5 mm的锗活性区(右侧图片)。<这种接近4π的几何张角提供了的计数效率。大井(直径1.55厘米,长4.0厘米)可容纳各种样本尺寸。与所有ORTEC的HPGe探测器一样,HPGe井型探测器可以存储或反复循环到室温,而不会降低性能。 
                           骋奥尝配置指南                                        
                          骋奥尝配置指南(A4)                                        
                          半导体探测器概述                                        
                          半导体探测器的物理学综述                                        远程前置放大器选件(-贬闯)
  此选件让所有前置放大器和高压接头位于屏蔽之外,并将前置放大器和高压滤波器从骋别晶体的&濒诲辩耻辞;视线&谤诲辩耻辞;中移出。对于低本底应用,此选件消除了可能增加屏蔽内部本底的任何可能的前置放大器或高压滤波器组件。  
低本底选件(-尝叠-础奥罢和-齿尝叠-础奥罢)
  低本底骋奥尝探测器配有无氧(翱贵贬颁)铜端盖,带有0.02英寸壁厚的低本底高纯度铝井。  
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