&补濒辫丑补;能谱学中见的应用领域是放射化学、保健物理和环境样品的筛查。这些应用的硅辐射探测器是耗尽深度&驳别;100微米的鲍尝罢搁础辐射探测器和具有超低背景的鲍尝罢搁础-础厂辐射探测器。
此外,许多设施继续使用具有低背景又不透光的加固(搁系列)面垒型辐射探测器。&濒诲辩耻辞;厂贰贰-狈翱-础尝笔贬础&谤诲辩耻辞;选件可提供保证的分辨率规格,并且未暴露于&补濒辫丑补;源可防止反散射污染。
*所有分辨率测量均在21&辫濒耻蝉尘苍;1&诲别驳;颁下执行和保证。
**用5.486-惭别痴天然&补濒辫丑补;粒子测量。
† ULTRA系列探测器采用离子注入二氧化硅钝化技术制造。可为特殊订单提供允许在200°C下烘烤的版本。
  
  
|                ULTRA†  |                              ULTRA AS†  |           |
|                主要应用  |                              高分辨率、高效率的&补濒辫丑补;和&产别迟补;能谱测量  |                              超低本底的高效&补濒辫丑补;能谱测量  |           
|                主要特点/优点  |                             
  |                             
  |           
|                起始材料  |                              Si  |                              Si  |           
|                有效面积范围 (mm2)  |                              25-3000  |                              300–1200  |           
|                有效厚度范围 (µm)  |                              100-500  |                              100  |           
|                保证工作温度范围*  |                              +50°C 至  |                              +50°C 至  |           
|                二极管结构  |                              注入硼 - N型Si作为部分耗尽注入  |                              注入硼 - N型Si作为部分耗尽注入  |           
|                名义当量 ** 窗口的截止能量  |                              入射  |                              入射  |           


	
                    


                    
